A jövő technológiái
Az egyedi és innovatív 3D V-NAND flashmemória architektúra áttörést jelent a mai hagyományos NAND architektúra teljesítményének és tartósságának korlátai felülmúlásában. A memóriacellák akár 32 rétegben vannak elhelyezve így növelvén azok sűrűségét, amely összességében nagyobb tárhelyet eredményez kisebb ráfordítás mellett.
Tegyen szert a maximumra
Tegyen szert maximális teljesítményű olvasásra és írásra és növelje számítógépe teljesítményét a TurboWrite technológiával. A 850 EVO kategóriájában kiváló teljesítménnyel szolgál az akár 540 MB/s olvasási és 500MB/s írási sebességgel.
Váltson nagyobb sebességre
A legújabb Samsung Magican szoftver használatával aktiválható a RAPID üzemmód, amely számítógépe memóriáját a teljesítmény növelése céljából gyorsítótárként használja.
Tartósság és megbízhatóság a 3D V-NAND technológia támogatásával
A lemez a korábbi generációkkal szemben akár kétszer annyi bájtmennyiség írására képes (Total Bytes Written - TBW) és épp ez garantálja a tartósságot, amelyet az 5 éves garancia is alátámaszt.