A 120GB-os Samsung 850 EVO fejlett 3D V-NAND flash memória architektúrára épül, amely maximális írási és olvasási sebességet tesz lehetővé. Ezt az egymásra függőlegesen elhelyezett cellarétegekkel érték el.
Az eredmény nagyobb sűrűség és teljesítmény, mindezt kisebb méretekkel, így maga mögé utasítja a hagyományos NAND architektúrával rendelkező darabokat. A 850 EVO modellel a Samsung megdublázta a cellarétegek írási megbízhatóságát, és minimalizálta a meghajtó telítettségéből fakadó teljesítménycsökkenést. Ez azt jelenti, hogy elődjével összehasonlítva, rugalmasabb és összességében akár 30%-kal magasabb teljesítményre képes, vagyis jobb felhasználói élményt nyújt. Továbbá, a gyártó 5 évre szóló garanciát biztosít a termékhez.
